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ASML成功交付首台光刻机,来看全球EUV极紫外光刻机技术新进展

芯榜+ 2022-12-15
(文末有福利)

近日,荷兰阿斯麦(ASML)公司在美国芯片禁令后向上海鼎泰匠芯科技有限公司成功交付首台ASML光刻机,但是这台光刻机的制程属于DUV深紫外光,并不是最先进的EUV极紫外光设备,这一举动引发了广泛热议。

对于光刻机而言,最核心的技术就是光源,光刻机按光源技术进步次序可分为紫外光(UV)、深紫外光(DUV)、极紫外光(EUV)三大类。

当前全球能够制造EUV光刻机的企业只有荷兰ASML一家企业,日本的佳能、尼康和中国上海微电子仅能制造DUV光刻机。荷兰ASML公司的EUV光刻机采用的是美国研发提供的13.5nm极紫外光源为工作波长的投影光刻技术,中国DUV光刻机使用的是波长193nm深紫外光源技术。

图源:荷兰ASML官网

极紫外光刻技术研发突破的关键点主要是光源、掩模技术、光刻胶,那么当前全球的极紫外光刻技术研发进展如何?

从全球来看,美国和日本都在极紫外光刻方面已进行了深入的研究。小编通过查询智慧芽研发情报库,全球共有1337条专利数据(已去重同时在多个国家/地区申请的专利),其中全球“极紫外光刻”专利技术拥有者主要有:

台湾积体电路制造股份有限公司
卡尔蔡司SMT有限责任公司
旭硝子株式会社
ASML荷兰有限公司
英特尔公司等

这5家公司在极紫外光刻技术方面都有什么研发进展呢?小编在研发情报库中查询了他们在半导体领域最新申请的专利数据,简单的分享了前5件专利信息:

👉01:半导体制造设备及制造半导体装置之方法
来源:智慧芽Eureka研发情报库

👉02:用于极紫外光刻的反射掩模坯、用于极紫外光刻的反射掩模及其制造方法
来源:智慧芽Eureka研发情报库

👉03:euvl用玻璃基板、euvl用掩模板
来源:智慧芽Eureka研发情报库

👉04:光罩的制作方法
来源:智慧芽Eureka研发情报库

👉05:EUV光刻用反射掩模板、EUV光刻用掩模板及其制造方法
来源:智慧芽Eureka研发情报库

根据智慧芽研发情报库显示,当前我国关于“极紫外光刻”技术拥有者主要有:

中国科学院微电子研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
哈尔滨工业大学
中国科学院上海光学精密机械研究所
北京理工大学等

其中,上述5家企业在半导体领域最新申请的极紫外光刻技术的相关专利前5件分别有:

👉01:基于空间像主成分分析的极紫外光刻投影物镜波像差检测方法


来源:智慧芽Eureka研发情报库

👉02:变倍率极紫外光刻投影曝光光学系统


来源:智慧芽Eureka研发情报库

👉03:极紫外光刻投影曝光光学系统

来源:智慧芽Eureka研发情报库

👉04:极紫外光刻掩模衍射谱的快速仿真方法

来源:智慧芽Eureka研发情报库

👉05:一种用于极紫外光刻光源中喷嘴的清洗装置与方法


来源:智慧芽Eureka研发情报库

极紫外光源被行业赋予拯救摩尔定律的使命,我国对极紫外光刻技术的探索从未停止。

小编今天仅展示了全球极紫外光刻技术的最新申请专利数据信息,还有极紫外光刻相关技术譬如光刻胶相关研发,等待你来一探究竟!




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