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【IEEE里程碑奖】SCR/Thyristor技术

2019年6月14日,Silicon Controlled Rectifier(SCR/Thyristor,可控硅/晶闸管)获颁IEEE里程碑(IEEE Milestone)牌匾,以表彰SCR/Thyristor为电力领域做出的巨大贡献。 

该牌匾放在美国纽约州克利德(Clyde)哥伦比亚大街124号。牌匾上刻文:

1957年通用电气推出了可控硅整流器(SCR),这是一种三端p-n-p-n器件。以前使用的充气管操作困难且不可靠。对称交流开关(TRIAC)、栅极关断晶闸管(GTO)和大型集成栅极换向晶闸管(IGCT)都是由可控硅演变而来的。它的发展彻底改变了电能和电机的有效控制。

General Electric introduced the silicon controlled rectifier (SCR), a three-terminal p-n-p-n device, in 1957. The gas-filled tubes used previously were difficult to operate and unreliable. The symmetrical alternating current switch (TRIAC), the gate turn-off thyristor (GTO), and the large integrated gate-commutated thyristor (IGCT) evolved from the SCR. Its development revolutionized efficient control of electric energy and electrical machines.


可控硅(SCR),也称晶闸管(Thyristor),是一种大功率电器元件,具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。


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