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IEEE行业快报 | 新型存储技术-铁电存储

IEEE数据库团队 IEEEXplore微服务 2024-04-15

随着物联网、人工智能、智慧车辆等新兴应用的快速更迭,市场对数据存储在速度、功耗、容量、可靠性等层面提出了更高要求,存储器技术也在不断地面临着新的挑战。在当前主流的存储器技术中,DRAM虽然速度快,但功耗大、容量低、成本高,且断电无法保存数据,使用场景受限;NAND Flash读写速度低,存储密度明显受限于工艺制程。为了突破DRAM、NAND Flash等传统存储器的局限,新型存储技术开始进入大众视野。

本期快报将聚焦于“铁电存储”技术,“铁电存储”技术具有读写速度快、寿命长、功耗低、可靠性高的特点,凭借诸多特性,正在成为存储器未来发展方向之一。






01


IEEE在“铁电存储”领域技术全景

IEEE近10年在“铁电存储”领域的发文趋势。(点击文末“阅读原文”,下载完整版报告即可访问历年发文情况。)

数据来源:IEEE Xplore,2023年5月


IEEE在“铁电存储”领域的技术热词。

数据来源:IEEE Xplore,2023年5月


全球 “铁电存储”领域研究情况。(点击文末“阅读原文”,下载完整版报告即可了解部分国家研究情况。)

数据来源:IEEE Xplore,2023年5月






期刊推荐
02

IEEE Transactions on Electron Devices

关于本刊:月刊,关注电子、离子集成电路的理论、建模、设计、性能以及可靠性相关的研究。

该刊“铁电存储”相关技术文章推荐:

  • Monolithic Integration of Oxide Semiconductor FET and Ferroelectric Capacitor Enabled by Sn-Doped InGaZnO for 3-D Embedded RAM Application

  • Performance Improvement by Modifying Deposition Temperature in HfZrOx Ferroelectric Memory

  • A Technology Path for Scaling Embedded FeRAM to 28 nm and Beyond With 2T1C Structure







03
会议推荐

69th Annual IEEE International Electron Devices Meeting

第 69 届 IEDM 将于 2023 年 12 月9 日至13 日在美国旧金山举行。会议内容涵盖半导体和电子元件技术、设计、制造、物理和建模等领域的技术突破,主要针对纳米级 CMOS 晶体管技术、先进存储器、显示器、传感器、MEMS 元件、新型量子和纳米元件和现象学、光电子学、功率和能量采集设备、高速设备、工艺技术和设备建模与仿真等技术的最新动态。

该会议录“铁电存储”相关文章推荐:

  • FeRAM using Anti-ferroelectric Capacitors for High-speed and High-density Embedded Memory

  • Hafnia-Based FeRAM: A Path Toward Ultra-High Density for Next-Generation High-Speed Embedded Memory

  • A c-axis aligned crystalline IGZO FET and a 0.06-μm2 HfO2-based Capacitor 1T1C FeRAM with High Voltage Tolerance and 10-ns Write Time







04


电子图书推荐

Semiconductor Microchips and Fabrication: A Practical Guide to Theory and Manufacturing

本书是2023年新出版的电子图书,该书将半导体理论与实践相结合,围绕实际的设备和工艺,以高度可视化的形式进行展示,配以插图,包括设备图片、制造工艺原理图、半导体微芯片的结构等。

涵盖的主题包括:

  • 半导体基本概念的介绍;

  • 半导体设备和制造机器的基本知识;

  • 晶体管和集成电路的介绍;

  • 微芯片制造中使用的主要工艺,包括光刻、金属化、反应离子蚀刻(RIE)、等离子增强型化学气相沉积(PECVD)、热氧化和注入等;

  • 工艺设计和解决问题的技巧,如干蚀刻配方的设计等;



END

往期推荐:



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