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【学术视频】ICFSI-17 | 中国科大张振宇教授

KouShare 蔻享学术 2021-04-25

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图 | 张振宇

题   目:Atomistic Growth Mechanisms & Property Optimization of 2D Materials

报告人:张振宇

单   位:中国科学技术大学

时   间:2019-06-27

地   点:上海交通大学


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报告摘要

石墨烯、硅稀、二硫化钼、拓扑绝缘体、h-氮化硼、黑磷......近年来凝聚态物理与材料科学的发展以层状结构这一大家族的一个个新成员的发现为一大导向。一方面,每一个新成员都有其鲜明的个性,不同成员之间的结合更显特色;另一方面,整个大家族又有其共性,比如单层材料与衬底之间、层与层之间几乎都是以弱的范德瓦耳斯力耦合到一起。对每一个成员的深层理解,都可能对真正走进这一大家族有普适性价值。这里我们从量子力学的第一性原理计算出发,辅以多尺度理论模拟,揭示石墨烯在金属衬底上从成核到晶元级大面积生长过程中所可能依赖的原子级动力学过程与微观机制。基于这些研究,我们提出可在低温下生长出高质量大面积单晶石墨烯的动力学通道,并结合实验验证这些预言。进一步,我们从单层石墨烯扩展到双层石墨烯,从石墨烯扩展到其它层状材料及其异质结,揭示其生长过程中的特性与共性。最新的研究亮点包括预言可外延生长单层蓝磷的理想衬底与新颖机制,以及如何精确调控大幅度提高在磁性拓扑绝缘体中实现量子反常霍尔效应的温度。这方面的研究不仅可丰富我们在非平衡状态下低微材料生长领域的知识积累,同时也对调控这类材料的功能性质与器件应用有指导意义。


个人简介

张振宇,中国科学技术大学教授。1982年毕业于武汉大学并经CUSPEA项目赴美留学,1989年获美国罗格斯大学博士学位。1989年-1993年在美国加州大学圣芭芭拉分校从事博士后研究。1993年-1995年在美国威斯康星大学麦迪逊分校任职,1995-2010年在美国橡树岭国家实验室任职,并于1997年-2011年在美国田纳西大学任教。回国前长期与中科院物理所等国内单位合作研究,2008年初开始将合作重心转向中国科大,并于2011年初全职回中国科大。长期从事凝聚态理论计算和模拟研究工作,采用多重尺度方法探讨低维体系与纳米材料的形成机理与物性;近期的研究重心是清洁能源功能材料的量子设计,以及其它新型量子材料的理论预测与实验验证。 


会议简介

The 17th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-17) was held in Shanghai. This 17th conference of the ICFSI series, started in 1985 by G. Le Lay, has the intention, as all previous meetings, to give a broadband overview over the latest developments of modern phenomena at surfaces, interfaces, and nanostructures based on semiconductors or insulators ranging from the characterization at the atomic scale to prospects of electronic, spintronic, photonic and photovoltaic applications. The aim for this conference is to bring together leading experts from various fields and disciplines in order to stimulate the exchange of knowledge and promote the capabilities of this interdisciplinary research topic.

Organizer: Shanghai Jiaotong University, Kavli Institute for Theoretical Sciences, Chinese Academy of Sciences


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