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【学术视频】第二十二届全国半导体物理学术会议 | 北京大学杜瑞瑞教授
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图 | 杜瑞瑞
题 目：InAs/GaSb异质结构中的自旋量子霍尔效应及拓扑超流态报告人：杜瑞瑞单 位：北京大学时 间：2019-07-12地 点：中国杭州
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报告摘要
自从十多年前发现了量子自旋霍尔效应，凝聚态物理近年来的发展大多与拓扑绝缘体/超导体物理有关。拓扑绝缘体的早期工作从能带计算出发，基本现象用非相互作用的图象就能解释。近年来人们开始关注拓扑绝缘体物理中的电子-电子相互作用，进而发现了一些新奇的现象，开阔了视野。本报告以InAs/GaSb双层系统为例，介绍电子与空穴库伦作用形成的激子凝聚态能隙（类似于BCS超导能隙）及衍生的量子自旋霍尔效应，以及该体系特有的一维螺旋Luttinger液体物性。理论预言电子相互作用会引导出一些仍有待实验证的奇异现象，包括分数激子绝缘体和8丌周期的分数约瑟夫森效应。个人简介
杜瑞瑞，现任北京大学物理学院讲席教授和国际量子材料科学中心主任。他是国际著名的实验物理学家。研究方向为分数量子霍尔效应，低温量子输运，以及与拓扑量子计算有关的基础问题。会议简介
第二十二届全国半导体物理学术会议是浙江大学物理学系和浙江大学硅材料国家重点实验室承办，由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议。会议宗旨是促进国内半导体物理研究领域的学术交流，把握国际重大前沿领域的发展动向，提升国内半导体物理及相关学科的国际影响力。本届会议于2019年7月9~12日在杭州第一世界大酒店召开。朱邦芬院士、黄如院士、杜瑞瑞教授、段镶锋教授、熊启华教授、彭笑刚教授、陆卫教授、陆朝阳教授等知名学者莅临本届会议并作大会特邀报告。
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