【学术视频】第13届全国分子束外延学术会议 | 上海微系统与信息技术研究所王庶民研究员
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图 | 王庶民
题 目：Progress on Dilute Bismide Near-IR Light Emitting Devices
报告人：王庶民单 位：上海微系统与信息技术研究所时 间：2019-08-15地 点：烟台金沙滩喜来登度假酒店扫码观看精彩报告视频
报告摘要
Dilute bismide exhibits a variety of interesting physical properties such as large bandgap bowing effect, large spin-orbit splitting energy, temperature insensitive bandgap, strong and broad photoluminescence (PL) etc. By optimizing growth parameters and heterostructures, we demonstrate very broad near IR PL at room temperature with a line-width of 700 nm from InPBi. Electrically pumper GaAsBi quantum well lasers reveal lasing wavelengh up to 1.142 μm at room temperature, while the longest wavelength from a GaAsBi light emitting diode reaches 1.25 μm. For optically pumped disk lasers, we demonstrate tunable lasing wavelength from 1.27 to 1.41 μm by varying the disk diameter.
个人简介
王庶民，博士、研究员、博士生导师。1985年和1988年毕业于复旦大学物理系，分别获得学士和硕士学位，1994年获得物理系博士学位。2013年进入中国科学院上海微系统与信息技术研究所工作，现任信息功能材料国家重点实验室副主任。长期从事III-V族半导体异质结和纳米结构材料及其与Si基单片集成的外延生长、材料物理、微电子和光电子器件的研究。
会议简介
全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延（MBE）及其相关领域的新进展、新动态、新成果，交流和探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的发展方向，拓宽分子束外延的应用领域，为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道，从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。 本届会议由中国有色金属学会半导体材料学术委员会和中国电子学会电子材料分会共同主办，中国科学院半导体研究所承办，于 2019年8月14-17号在中国烟台市召开。
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