【天风电子】存储周期或逐渐筑底，供需平衡后有望重启增长

存储IC厂商2022年第三季度业绩与增速：三大DRAM厂商三星、海力士、美光第三季度DRAM营收分别为74亿、52.4亿、48亿美元，环比分别下滑34%、25.2%、23%；三大NAND Flash厂商三星、铠侠、海力士第三季度营收分别为43亿、28.3亿、25.4亿美元，相较于22Q2环比增速分别为-28.1%、-0.1%、-29.8%。

存储IC周期短期下行，中长期趋势持续向上。根据WSTS、中商产业研究数据，2017-2021年全球存储芯片市场规模分别为1240、1580、1064、1175、1538亿美元；预计2022年存储芯片的销售额为1555亿美元，同比增长1.1%；根据Yole数据，预计21-27年复合增长率8%，2027年达到2600亿美元以上但产业会随库存、需求、产能的变化而具有明显的周期性。当前在需求疲软的背景下减少资本支出或使周期逐步见底，复盘2019年内存周期，头部企业在2019年初开始减少资本支出，包含三星终止其平泽工厂的产能扩张，SK海力士2019年初预计资本支出将减少至55亿美元，美光2019年初预计将资本支出削减至30亿美元。

海外大厂调整资本开支，有望助力存储IC供需改善。受到低需求、经济下滑和地缘政治紧张局势的影响，根据CFM闪存市场数据，2022年Q3全球存储市场规模相较于Q2环比下降26.7%至316.38亿美元；2022年Q3全球DRAM市场规模相较于Q2环比下跌29.2%至178.13亿美元；2022年Q3全球NAND Flash市场规模相较于Q2环比下跌23.3%至138.25亿美元。根据TrendForce 2022年8月发布的数据，2023年DRAM市场需求位同比成长预估只有8.3%，供给位成长约14.1%；NAND Flash预估需求位成长将达28.9%，而供给位成长约32.1%；但随着海外大厂陆续公告修正资本支出，供需有望持续改善， DRAM在美光率先宣布减产规划后，2023全年DRAM供过于求比例将由原先预估的11.6%，收敛至低于10%；NAND方面，在美光、铠侠供给位成长皆下修的情况下，2023全年供过于求比例将由原先预估的10.1%下降至5.6%；更多海外大厂因需求疲软导致收入下滑，或调整资本支出与产能规划，库存压力与价格跌幅有望收敛。

22Q4存储IC价格环比进一步下降，利空预期或筑底。在消费性产品需求疲软及旺季不旺的背景下，22Q3内存位消耗与出货量持续呈现季减，各终端推迟采购导致供货商库存压力提升或进一步导致价格跌幅扩大，但随着DDR5渗透率提升，PC与服务器的DRAM总ASP跌幅或缩窄。

建议关注：江波龙、兆易创新、澜起科技、聚辰股份、普冉股份、北京君正、东芯股份、佰维存储（未上市）、得一微（未上市）、联芸科技（未上市）、长存（未上市）、长鑫（未上市）等。

风险提示：需求恢复不如预期、资本开支供给修正不如预期、库存去化不如预期、宏观环境变动带来的风险

1. 存储IC周期短期下行，中长期趋势持续向上

全球存储芯片市场规模达千亿美元但具备较强的周期性。根据WSTS、中商产业研究数据，2017-2021年，全球存储芯片市场规模分别为1240、1580、1064、1175、1538亿美元；其中2019年受下游需求放缓影响导致存储芯片价格下滑，整体市场规模下降；2020年由于下游需求回暖叠加产能紧俏，存储芯片行业恢复增长；2020与2021年存储芯片市场规模同比增速分别为10%、31%；预计今年存储芯片的销售额为1555亿美元，同比增长1.1%；从中长期来看，根据Yole数据2021-2027年全球存储芯片行业市场规模的复合年增长率为8%，并有望在2027年增长到2600亿美元以上，但产业会随库存、需求、产能的变化而具有明显的周期性。全球存储类芯片市场中以DRAM和NAND Flash为主，2021年市场规模占整体存储芯片市场规模的比例分别为56.4%和40.1%，DRAM和NAND Flash合计占比约为96.5%。

复盘存储前一轮周期，海外大厂减少资本支出使周期逐步见底。复盘2019年内存周期，由于需求疲软存储IC销售额自2018年12月以来急剧下降，当月同比销售额增长为-3.1%，为本周期的首次的负增长；2019年2月的同比销售额增长率接近前两个周期的最低水平；根据SEMI存储IC库存指数（基于三星、海力士和美光的财务数据，显示销售额增长率与库存增长率之间的差额），2019年Q1该指数已经跌破2016年的低谷；头部企业在2019年初开始减少资本支出，包含三星终止其平泽工厂的产能扩张，海力士2019年初预计资本支出将减少至55亿美元，美光2019年初预计将资本支出削减至30亿美元；最终资本支出以DRAM为例，2019年三星、海力士、美光资本支出增速分别为-24%、-14%、-6%。

1.1. 海外大厂调整资本开支，有望助力存储IC供需改善

受下游需求疲软影响，存储22Q3全球市场规模环比下滑。根据CFM闪存市场数据，2022年前三季度存储市场累计规模为1165.34亿美元，同比下滑2.8%；2022年Q3全球存储市场规模相较于Q2环比下降26.7%至316.38亿美元；2022年Q3全球DRAM市场规模相较于Q2环比下跌29.2%至178.13亿美元；2022年Q3全球NAND Flash市场规模相较于Q2环比下跌23.3%至138.25亿美元；这一轮周期主要受到低需求、经济下滑和地缘政治紧张局势的影响，市场供过于求推动了下行周期使全球存储市场规模创10个季度新低。

22Q3海外与台系企业DRAM收入环比下滑。根据TrendForce与CFM闪存市场数据，2022年第三季消费性电子需求持续萎缩，DRAM合约价跌幅扩大至10~15%，整体拉货动能较第二季明显下滑。三大存储厂商三星、海力士、美光第三季度DRAM营收分别为74亿、52.4亿、48亿美元，环比分别下滑34%、25.2%、23%；由于美光财报区间不同因此营收衰减幅度为三大原厂之中最小。从DRAM Bit 出货量来看，22Q3三星、海力士、美光分别环比下滑15%至20%、中个位数百分比、约10%；从DRAM ASP来看，22Q33三星、海力士、美光分别环比下滑约20%、20%、10~15%。台系厂商方面，南亚科技22Q3 DRAM收入环比减少40.8%至3.62亿美元，华邦电子22Q3 DRAM收入环比减少37.4%至1.5亿美元。

22Q3海外与台系企业NAND收入环比下滑。根据TrendForce数据，22Q3 NAND Flash市场价格跌幅扩大至18.3%，供货商位元出货量相较于22Q2环比减少6.7%，平均销售单价持续下跌，整体NAND Flash产业营收约137.1亿美元相较于22Q2环比减少24.3%。在消费电子或服务器领域出货皆低于预期的背景下，NAND Flash受到需求疲弱影响。三大存储厂商三星、铠侠、海力士第三季度营收分别为43亿、28.3亿、25.4亿美元，相较于22Q2环比增速分别为-28.1%、-0.1%、-29.8%；NAND Flash Bit出货量方面，三星、铠侠、海力士第三季出货量环比增幅分别为-20%、25%、减少低双位数百分比。NAND Flash ASP方面，三星、铠侠、海力士第三季度ASP环比增幅分别为下降高个位数百分比、下降超20%、下降超20%。

DRAM、NAND按照原资本支出计划，供过于求或延续到2023年。根据TrendForce 2022年8月发布的数据，2023年DRAM市场需求位同比成长预估只有8.3%，供给位成长约14.1%；NAND Flash预估需求位成长将达28.9%，而供给位成长约32.1%;由于NAND价格较有弹性，随着均价下滑后有望带动企业应用单机搭载容量成长。自2021年第四季起受部分消费性电子需求走弱影响，导致内存价格进入下跌走势，旺季不旺使库存压力已由买方端延伸至原厂，由于需求展望保守，因此DRAM与NAND Flash在各季度皆呈现大幅度供过于求状态；但在供货商考虑加入减产的预期下或扭转明年供需劣势。

海外厂商库存周转天数已接近前一轮周期高位。以美光为例，公司2022Q1、Q2、Q3、Q4存货周转天数分别为101.7、107.9、106.4、119.0天，上一轮周期公司2020Q3财年存货周转天数最高达到130.4天；面对需求疲软的市况下降低库存成为产业链各个环节厂商的首要任务，因此近期各大原厂纷纷宣布减产及削减资本支出的计划。

海外大厂陆续公告修正资本支出，供需有望持续改善。美光科技于2022年11月17日宣布将存储芯片产能减少20%，此外针对2023年财年（截至2023年8月）的设备投资相较于2022年财年同比减少约30％。铠侠公告于2022年10月将晶圆的投入量减少30%。韩国海力士计划将2023年的投资金额规模相较于2022年同比减少50％；我们预计各厂商将继续监测行业状况，并根据需要进行进一步调整；随着资本支出的调整，存储供需或进一步改善。根据TrendForce的数据，DRAM在美光率先宣布减产规划后，2023全年DRAM供过于求比例将由原先预估的11.6%，收敛至低于10%；NAND方面，在美光、铠侠供给位成长皆下修的情况下，2023全年供过于求比例将由原先预估的10.1%下降至5.6%；更多海外大厂因需求疲软导致收入下滑，或调整资本支出与产能规划，库存压力与价格跌幅有望收敛。

1.2. 22Q4存储IC价格环比进一步下降，利空预期或逐步筑底

2022年第四季DRAM价格环比或持续下跌。根据TrendForce数据，在消费性产品需求疲软及旺季不旺的背景下，22Q3内存位消耗与出货量持续呈现季减，各终端推迟采购导致供货商库存压力提升或进一步导致价格跌幅扩大，但随着DDR5渗透率提升，PC与服务器的DRAM总ASP跌幅或缩窄。

DRAM合约价格下行，截至2022年9月已接近2020年水平。PC、Mobile等消费终端需求放缓导致渠道、OEM和上游原厂等供应链各环节都面临着高库存的压力，使得存储原厂开启降价。DRAM依产品规格与应用，可区分为标准型DRAM（主要应用于桌面计算机、笔记本电脑、服务器、工作站）与利基型DRAM（广泛应用于消费性电子、可携式电子装置、手机、网通等终端产品，甚至车用电子与工业用市场）；标准型DRAM我们以DDR4 1Gx8 2133Mbps为例，截至2022年9月30日该合约平均价位2.85美元已是2020年11月30日的起涨点；利基型DRAM我们以DDR4 256Mx16为例，截至2022年9月30日该合约平均价位1.86美元已接近2020年11月30日1.59美金的起涨点。

2022年第四季NAND Flash价格环比或持续下跌。根据TrendForce数据，预计第四季NAND Flash价格跌幅扩大至15~20%。目前NAND Flash正处于供过于求，由于下游终端产品需求仍疲弱，加上买方着重去化库存而大幅减少采购量，使得NAND Flash 22Q3 wafer价格跌幅达30~35%。Client SSD与Enterprise SSD在下游出货将下滑的预期下采购量也因此下降；此外，NAND Flash wafer由于第三季起原厂已开始削价竞争导致合约价快速逼近各厂现金成本，NAND Flash在完全竞争市场的框架下，供货商有意使wafer报价加速落底。

NAND Flash合约价格下行，截至2022年9月已接近2020年水平。2021年由于后疫情推升笔电及服务器需求增长，带动NAND Flash消耗量快速增长，原厂为了满足需求不断积极扩张，制程上加速128以上层次产出，但随着2022年智能型手机及笔电订单等终端需求大幅修正，NAND Flash呈现供过于求态势导致价格下跌。以8Gx8 MLC、4Gx8 MLC、16Gx8 MLC为例，截至2022年9月30日价格分别为3.11、2.69、4.30美元，与2020年11月30日的价格（2.94、2.55、4.20）美元相近。

1.3. 新技术注入成长动力，下游新品迭代推动增长

DRAM技术推动使得单元尺寸持续縮減。DRAM市场主要参与者包括了三星、美光、海力士、南亚科技、力积电和长鑫存储等。三星、美光与海力士锁定DDR4、DDR5和LPDDR5的应用，已经以15nm和14nm等级的单元设计规则(D/R)发布了D1z和D1α节点的产品，其中三星凭借较早进行DDR5的开发，继2013年三星推出DDR4（第四代双倍数据速率内存)之后，DDR5 DRAM（五代双倍数据率同步动态随机存储器）成为了DRAM半导体的新标准，公司10 纳米级工艺和极紫外光刻 (EUV) 技术使芯片容量从 16 千兆比特 (Gb) 跃升至32Gb。国内厂商长鑫存储自主研发的DDR4 内存芯片满足市场主流需求，可应用于PC、笔记本电脑、服务器、消费电子类产品等领域。

NAND Flash发展垂直方向堆栈3D NAND层数。3D NAND层数是目前NAND主要发展方向，主流厂商与现有技术分别为三星176层(V7)、铠侠162层(BiCS6)、美光176层(2nd CTF)、海力士176层(V7)、长江存储的128层Xtacking TLC/QLC。3D NAND的一些技术挑战集中在越来越高的深宽比；目前三星准备凭生产技术和价格加上性能竞争力，将NAND Flash堆栈层数从现有基础上增加60层达到236 层堆栈并于今年批量生产，I/O速率达到了2.4Gbps，相较于上一代产品提高1.2倍。国内长江存储通过创新布局和缜密验证，基于晶栈Xtacking研发制造的3D NAND将更具成本和创新优势。

随着全新处理器相继推出有望带动存储需求持续向上。手机方面联发科天玑9200旗舰移动平台具有高性能、高能效、低功耗表现为旗舰市场打造新旗舰标杆，率先采用Armv9 性能核，搭载Cortex-X3 超大核（主频高达 3.05GHz）及Cortex-A715 大核（主频高达 2.85GHz），存储支持LPDDR5x、UFS 4 + MCQ；服务器市场，2022年11月AMD发表EPYC 9004系列处理器Genoa，支持DDR5-4800内存；英特尔预计2023年1月发布的第四代Xeon Scalable系列处理器Sapphire Rapids，采用 10纳米Enhanced SuperFin（Intel 7）制程技术生产;新平台还支持PCIe Gen5、CXL 1.1（Compute Express Link）和8信道DDR5内存。

1.4. 建议关注

江波龙：公司聚焦存储产品和应用，形成固件算法开发、存储芯片测试、集成封装设计、存储产品定制等核心竞争力。

兆易创新：公司产品为NOR Flash、NAND Flash及MCU，广泛应用于消费类电子产品、汽车电子及工业控制设备等各个领域。

澜起科技：公司的主营业务是为云计算和人工智能领域提提供以芯片为基础的解决方案，目前主要产品包括内存接口，津逮服务器CPU以及混合安全内存模组。

聚辰股份：公司目前拥有EEPROM、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条主要产品线，应用于智能手机，通讯，汽车电子，工业控制等多种领域。

普冉股份：公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年，成为了国内NOR Flash和EEPROM的主要供应商之一。

北京君正：公司存储芯片分为 SRAM、DRAM 和 Flash 三大类别，主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场。

东芯股份：公司聚焦中小容量通用型存储芯片，提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案。

其他未上市公司：佰维存储、得一微、联芸科技、长存、长鑫

注：文中观点节选自天风证券研究所已公开发布研究报告，具体报告内容及相关风险提示等详见完整版报告。

证券研究报告《半导体：存储周期或逐渐筑底，供需平衡后有望重启增长》

对外发布时间  2022年12月3日

报告发布机构  天风证券股份有限公司

本报告分析师

潘暕   SAC执业证书编号：S1110517070005

程如莹   SAC执业证书编号：S1110521110002