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【学术视频】第二十二届全国半导体物理学术会议 | 中科院物理研究所孙继荣研究员
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图 | 孙继荣
题 目：氧化物界面自旋极化二维电子气及其自旋-电荷转换效应报告人：孙继荣单 位：中国科学院物理研究所时 间：2019-07-11地 点：杭州扫码观看精彩报告视频
报告提纲
自旋极化二维电子气 研究背景 核心问题 研究思路 EuO/KTaO₃界面二维电子气 二维电子气的磁滞后磁电阻 二维电子气磁电阻与EuO磁化行为 二维电子气反常霍尔效应 磁性起源 结论：EuO/KTaO₃界面存在高性能二维电子气；二维电子气的自旋极化；磁性产生于EuO对KTaO₃界面的磁诱导效应
二维电子气自旋-电荷转换效应 二维电子气能带示意图 自旋流-电荷流转换 自旋Seeback效应比较 磁振子传输距离 结论：首次利用EuO/KTaO₃导电界面实现了热驱动的自旋-电荷转换；转换效率远高于典型的Pt/YIG结构
个人简介
孙继荣，中国科学院物理研究所研究员，博士研究生导师。1982年毕业于吉林大学物理系，1989年获中国科学院物理研究所理学博士学位，1999年晋升为研究员。1997-2003年在香港中文大学、香港大学做访问学者。曾任中国科学院磁学国家重点实验室副主任、课题组长。2002年国家杰出青年基金获得者，国家自然科学基金创新研究群体、国际创新研究团队骨干。曾获得2015年度中国科学院优秀导师奖，2015年度中国科学院“朱李月华优秀教师”奖。主要研究方向包括关联电子体系自旋电子学；磁性氧化物多量子序关联效应；新型自旋电子态设计及其磁、电、热、力多元调控效应。会议简介
第二十二届全国半导体物理学术会议是浙江大学物理学系和浙江大学硅材料国家重点实验室承办，由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议。会议宗旨是促进国内半导体物理研究领域的学术交流，把握国际重大前沿领域的发展动向，提升国内半导体物理及相关学科的国际影响力。本届会议于2019年7月9~12日在杭州第一世界大酒店召开。朱邦芬院士、黄如院士、杜瑞瑞教授、段镶锋教授、熊启华教授、彭笑刚教授、陆卫教授、陆朝阳教授等知名学者莅临本届会议并作大会特邀报告。
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