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【学术视频】第二十二届全国半导体物理学术会议 | 电子科技大学杨明博士
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图 | 杨明
题 目：Three-Dimensional Dirac Semimetal Cd₃As₂ Photodetectors报告人：杨明单 位：电子科技大学时 间：2019-07-11地 点：杭州扫码观看精彩报告视频
报告提纲
Dirac semimetal is a new quantum material, ranging from two-dimensional graphene, topological insulator surface states to three-dimensional Cd₃As₂, Na₃Bi. However, the application of graphene is hindered by its monatomic layer as well as the limited absorption (2.3%). Hence, 3D Dirac semimetal materials bring a turnaround to this issue. Interestingly, this type of material not only possesses the characteristics of zero band-gap and wide spectral absorption, but also has higher electron mobility and higher absorption of all wavebands light. In addition, it exhibits stable physical and chemical properties and interface characteristics. Here, the heterostructure of organic (DPEPO)/Cd₃As₂ wasprepared by direct layer-by-layer superposition. Electron coupling leads to significant interlayer charge transfer, which enables to regulate the Fermilevel of organic through Cd₃As₂. Planar organic P-N junction is obtained by selective modification, which shows quantized conductance platform. In addition, the organic/Cd₃As₂ thin film heterojunction photodetector presented a larger non-local signal near the Dirac point due tothe charge transfer of the spin polarized surface states in the adjacent Cd₃As₂ compared to the organic device. Hence, organic and 3D Dirac semimetal Cd₃As₂ thin film heterojunction devicehas been resoundingly achieved. This device owns a broadband response waveband from visible light (VL) to near-infrared (NIR) at room temperature. Furthermore, the proposed photocurrent generation mechanism of the device is confirmed by comparison with the photoresponse characteristics and performances of pure Cd₃As₂ device.个人简介
杨明，电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室博士。主要研究方向为基于量子材料的室温红外探测技术的应用。参与《**光电探测器研究》，《**阵列检测器》等科研项目，并以第一作者身份在ACSNano, JPCL, ACS Photonics等杂志发表论文。同时，多次参与国内外高水平会议，并数次做口头交流报告。
会议简介
第二十二届全国半导体物理学术会议是浙江大学物理学系和浙江大学硅材料国家重点实验室承办，由中国物理学会半导体物理专业委员会主办的全国性会议。会议宗旨是促进国内半导体物理研究领域的学术交流，把握国际重大前沿领域的发展动向，提升国内半导体物理及相关学科的国际影响力。本届会议于2019年7月9~12日在杭州第一世界大酒店召开。朱邦芬院士、黄如院士、杜瑞瑞教授、段镶锋教授、熊启华教授、彭笑刚教授、陆卫教授、陆朝阳教授等知名学者莅临本届会议并作大会特邀报告。
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